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JANTXV1N3033DTR

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JANTXV1N3033DTR 技術參數

JANTXV1N3033D-1 功能描述:Zener Diode 36V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JANTXV1N3033CUR-1 功能描述:Zener Diode 36V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JANTXV1N3033C-1 功能描述:Zener Diode 36V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JANTXV1N3033BUR-1 功能描述:Zener Diode 36V 1W ±5% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41）標準包裝:1 JANTXV1N3033B-1 功能描述:Zener Diode 36V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:36V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 27.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JANTXV1N3035C-1 JANTXV1N3035CUR-1 JANTXV1N3035D-1 JANTXV1N3035DUR-1 JANTXV1N3036B-1 JANTXV1N3036BUR-1 JANTXV1N3036C-1 JANTXV1N3036CUR-1 JANTXV1N3036D-1 JANTXV1N3036DUR-1 JANTXV1N3037B-1 JANTXV1N3037BUR-1 JANTXV1N3037C-1 JANTXV1N3037CUR-1 JANTXV1N3037D-1 JANTXV1N3037DUR-1 JANTXV1N3038B-1 JANTXV1N3038BUR-1