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JANTXV1N3043BTR

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JANTXV1N3043BTR 技術參數
  • JANTXV1N3043B-1 功能描述:Zener Diode 91V 1W ±5% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:91V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:250 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 69.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JANTXV1N3042DUR-1 功能描述:Zener Diode 82V 1W ±1% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 62.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JANTXV1N3042D-1 功能描述:Zener Diode 82V 1W ±1% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±1% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 62.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JANTXV1N3042CUR-1 功能描述:Zener Diode 82V 1W ±2% Surface Mount DO-213AB (MELF, LL41) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 62.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AB，MELF（玻璃） 供應商器件封裝:DO-213AB（MELF，LL41） 標準包裝:1 JANTXV1N3042C-1 功能描述:Zener Diode 82V 1W ±2% Through Hole DO-41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/115 包裝:散裝 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±2% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 62.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 JANTXV1N3044D-1 JANTXV1N3044DUR-1 JANTXV1N3045B-1 JANTXV1N3045BUR-1 JANTXV1N3045C-1 JANTXV1N3045CUR-1 JANTXV1N3045D-1 JANTXV1N3045DUR-1 JANTXV1N3070UR-1 JANTXV1N3313B JANTXV1N3318B JANTXV1N3595-1 JANTXV1N3595A-1 JANTXV1N3595AUR-1 JANTXV1N3595AUS JANTXV1N3595UR-1 JANTXV1N3600 JANTXV1N3671A
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