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JANTXV1N4620CURTR

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JANTXV1N4620CURTR 技術參數

JANTXV1N4620C-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1650 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3.5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4620-1 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1650 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3.5μA @ 1.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4619DUR-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4619D-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N4619CUR-1 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:1600 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:400nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4622C-1 JANTXV1N4622CUR-1 JANTXV1N4622D-1 JANTXV1N4622DUR-1 JANTXV1N4622UR-1 JANTXV1N4623-1 JANTXV1N4623C-1 JANTXV1N4623CUR-1 JANTXV1N4623DUR-1 JANTXV1N4623UR-1 JANTXV1N4624-1 JANTXV1N4624C-1 JANTXV1N4624CUR-1 JANTXV1N4624D-1 JANTXV1N4624DUR-1 JANTXV1N4624UR-1 JANTXV1N4625-1 JANTXV1N4625C-1