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JANTXV1N5536BUR-1TR

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JANTXV1N5536BUR-1TR 技術參數

JANTXV1N5536BUR-1 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N5536B-1 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 14.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N5535DUR-1 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 13.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N5535D-1 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 13.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35（DO-204AH）標準包裝:1 JANTXV1N5535CUR-1 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±2% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/437 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:100 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10nA @ 13.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N5537DUR-1 JANTXV1N5538B-1 JANTXV1N5538BUR-1 JANTXV1N5538C-1 JANTXV1N5538CUR-1 JANTXV1N5538D-1 JANTXV1N5538DUR-1 JANTXV1N5539B-1 JANTXV1N5539BUR-1 JANTXV1N5539C-1 JANTXV1N5539CUR-1 JANTXV1N5539D-1 JANTXV1N5539DUR-1 JANTXV1N5540B-1 JANTXV1N5540BUR-1 JANTXV1N5540C-1 JANTXV1N5540CUR-1 JANTXV1N5540D-1