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JANTXV1N829ATR

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JANTXV1N829ATR 技術參數

JANTXV1N829-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N827UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N827-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N825UR-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N825-1 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/159 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N962C-1 JANTXV1N962CUR-1 JANTXV1N962D-1 JANTXV1N962DUR-1 JANTXV1N963B-1 JANTXV1N963C-1 JANTXV1N963CUR-1 JANTXV1N963D-1 JANTXV1N963DUR-1 JANTXV1N964B-1 JANTXV1N964C-1 JANTXV1N964CUR-1 JANTXV1N964D-1 JANTXV1N964DUR-1 JANTXV1N965B-1 JANTXV1N965BUR-1 JANTXV1N965C-1 JANTXV1N965CUR-1