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JANTXV1N960C-1

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JANTXV1N960C-1 技術參數

JANTXV1N943B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N942B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N941B-1 功能描述:Zener Diode 11.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/157 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:15μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N935B-1 功能描述:Zener Diode 9V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/156 包裝:散裝零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JANTXV1N914UR 功能描述:Diode Standard 75V 200mA Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/116 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:75V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 50mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:20ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同?Vr，F 時的電容:2.8pF @ 1.5V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA 供應商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 JANTXV1N963D-1 JANTXV1N963DUR-1 JANTXV1N964B-1 JANTXV1N964C-1 JANTXV1N964CUR-1 JANTXV1N964D-1 JANTXV1N964DUR-1 JANTXV1N965B-1 JANTXV1N965BUR-1 JANTXV1N965C-1 JANTXV1N965CUR-1 JANTXV1N965D-1 JANTXV1N965DUR-1 JANTXV1N966BUR-1 JANTXV1N966C-1 JANTXV1N966CUR-1 JANTXV1N966D-1 JANTXV1N966DUR-1