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JANTXV2N5039

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JANTXV2N5039
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

JANTXV2N5039
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
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09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

JANTXV2N5039
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
TO-204AA
23+
-
微芯專營優勢產品

JANTXV2N5039
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
標準封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

1/1頁 40條/頁共7條
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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Trans GP BJT NPN 75V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-3
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
NPN TRANSISTOR - Bulk

JANTXV2N5039 技術參數

JANTXV2N5038 功能描述:TRANS NPN 90V 20A TO-39 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/439 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1.2A，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 2A，5V 功率 - 最大值:140W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 JANTXV2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JANTXV2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JANTXV2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線柱供應商器件封裝:TO-59 標準包裝:1 JANTXV2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 JANTXV2N5237S JANTXV2N5238 JANTXV2N5238S JANTXV2N5339 JANTXV2N5339U3 JANTXV2N5415 JANTXV2N5415S JANTXV2N5416 JANTXV2N5416S JANTXV2N5416U4 JANTXV2N5416UA JANTXV2N5581 JANTXV2N5582 JANTXV2N5662 JANTXV2N5663 JANTXV2N5664 JANTXV2N5665 JANTXV2N5666