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KBR358MWSTR

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KBR358MWSTR 技術參數

KBPM201G 功能描述:DIODE BRIDGE 100V 2A KBPM 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:100V 電流 - DC 正向（If）:2A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-SIP，KBPM 供應商器件封裝:KBPM 標準包裝:1,000 KBPC5010W-G 功能描述:BRIDGE DIODE GPP 50A 1000V KBPC- 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:單相電壓 - 峰值反向（最大值）:1000V 電流 - DC 正向（If）:50A 安裝類型:通孔封裝/外殼:4-方形，KBPC-W 供應商器件封裝:KBPC-W 標準包裝:50 KBPC5010T 功能描述:DIODE BRIDGE 1000V 50A KBPC-T/W 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:單相技術:標準電壓 - 峰值反向（最大值）:1kV 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 25A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:4-方形，KBPC-T 供應商器件封裝:KBPC-T 標準包裝:50 KBPC5010-G 功能描述:BRIDGE DIODE GPP 50A 1000V KBPC 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:單相技術:標準電壓 - 峰值反向（最大值）:1kV 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 25A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:4-方形，KBPC 供應商器件封裝:KBPC 基本零件編號:* 標準包裝:50 KBPC5006-G 功能描述:BRIDGE DIODE GPP 50A 600V KBPC 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:單相技術:標準電壓 - 峰值反向（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 25A 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 600V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:4-方形，KBPC 供應商器件封裝:KBPC 基本零件編號:* 標準包裝:50 KBS-20DA-7C-105 KBS-20DA-7C-35 KBS-20DA-9A KBS-20DB-2P-0 KBS-20DB-2P-10 KBS-20DB-2P-9 KBS-20DB-4A-22 KBS-20DB-4P-0 KBS-20DB-5A KBS-23DA-4A KBS-27DA-3A KBS-27DA-5A KBS-27DA-5C-105 KBS-27DA-5C-108 KBS-27DA-5C-56 KBS-27DA-5G KBS-27DB-3A KBS-27DB-3T