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L08-1S103

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L08-1S103 技術參數
  • L081S102LF 功能描述:RES ARRAY 7 RES 1K OHM 8SIP 制造商:tt electronics/irc 系列:L,BI 包裝:散裝 零件狀態:有效 電路類型:總線式 電阻(歐姆):1k 容差:±2% 電阻器數:7 引腳數:8 每元件功率:125mW 溫度系數:±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 125°C 應用:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-SIP 供應商器件封裝:8-SIP 大小/尺寸:0.800" 長 x 0.098" 寬(20.32mm x 2.50mm) 高度:0.200"(5.08mm) 標準包裝:1,000 L0805R101MPWRT 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 4 Ohm 0805 (2012 Metric) 制造商:kemet 系列:L-PWR 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:50mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):4 歐姆 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:8MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:796kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.083" 長 x 0.059" 寬(2.11mm x 1.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.04mm) 標準包裝:1 L0805R100KPWST 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 500 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:kemet 系列:L-PWS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±10% 額定電流:100mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):500 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:32MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.083" 長 x 0.059" 寬(2.11mm x 1.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.04mm) 標準包裝:1 L0805C4R7MDWIT 功能描述:4.7μH Unshielded Wirewound Inductor 360mA 500 mOhm 0805 (2012 Metric) 制造商:kemet 系列:L-DWI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:360mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):500 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:45MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.96MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.083" 長 x 0.059" 寬(2.11mm x 1.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.04mm) 標準包裝:1 L0805C470MPWST 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 50mA 3.7 Ohm 0805 (2012 Metric) 制造商:kemet 系列:L-PWS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:50mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):3.7 歐姆 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:11MHz 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 105°C 頻率 - 測試:2.52MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805(2012 公制) 大小/尺寸:0.083" 長 x 0.059" 寬(2.11mm x 1.50mm) 高度 - 安裝(最大值):0.041"(1.04mm) 標準包裝:1 L083S472LF L08P050D15 L08P100D15 L08P100D15IPV L08P100D15M1 L08P150D15 L08P150D15M1 L08P200D15 L08P200D15W L08P300D15IPV L09 L091S102LF L091S103LF L095XG9S L-1 L1.25-3 L-10 L1003A
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