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L6452DIE8

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    L6452DIE8

    L6452DIE8

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 7500

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  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
L6452DIE8 技術參數
  • L6451013TR 功能描述:功率驅動器IC 28-Channel Ink Jet RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6451 功能描述:功率驅動器IC 28-Channel Ink Jet RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6399DTR 功能描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 驅動配置:半橋 通道類型:獨立式 驅動器數:2 柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET 電壓 - 電源:10 V ~ 20 V 邏輯電壓?- VIL,VIH:1.1V,1.9V 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):290mA,430mA 輸入類型:非反相 高壓側電壓 - 最大值(自舉):600V 上升/下降時間(典型值):75ns,35ns 工作溫度:-40°C ~ 125°C (TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 L6398DTR 功能描述:功率驅動器IC 600V 290 mA Source 430 mA sink BCD RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6398D 功能描述:功率驅動器IC High Volt 600V Rail Off Line 3.3V RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube L6472PDTR L6474H L6474HTR L6474PD L6474PDTR L6480H L6480HTR L6482H L6482HTR L6491D L6491DTR L6494L L6494LD L6494LDTR L6494LTR L6498D L6498DTR L6498L
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