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LTC4441IMS8

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LTC4441IMS8 技術參數

LTC4441ES8-1#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4441ES8-1#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 8-SOIC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4441EMSE#TRPBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4441EMSE#PBF 功能描述:IC MOSFET DRIVER N-CH 10-MSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 LTC4440ES6-5#TRPBF 功能描述:IC HIGH-SIDE DVR HS HV TSOT23-6 RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關系列:- 標準包裝:1 系列:- 類型:高端輸入類型:非反相輸出數:1 導通狀態電阻:85 毫歐電流 - 輸出 / 通道:2A 電流 - 峰值輸出:6A 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-UFDFN 裸露焊盤，4-TMLF? 供應商設備封裝:4-TMLF?（1.2x1.6）包裝:剪切帶 (CT) 其它名稱:576-1574-1 LTC4442EMS8E-1#TRPBF LTC4442IMS8E#PBF LTC4442IMS8E#TRPBF LTC4442IMS8E-1#PBF LTC4442IMS8E-1#TRPBF LTC4444EMS8E#PBF LTC4444EMS8E#TRPBF LTC4444EMS8E-5#PBF LTC4444EMS8E-5#TRPBF LTC4444HMS8E#PBF LTC4444HMS8E#TRPBF LTC4444HMS8E-5#PBF LTC4444HMS8E-5#TRPBF LTC4444IMS8E#PBF LTC4444IMS8E#TRPBF LTC4444IMS8E-5#PBF LTC4444IMS8E-5#TRPBF LTC4444MPMS8E#PBF