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LTE42008R

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  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN microwave power transistor
LTE42008R 技術參數
  • LTE-3371TL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:6.77mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 視角:40° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標準包裝:1,000 LTE-3371T 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6.77mW/sr @ 20mA 40° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:6.77mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 視角:40° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標準包裝:1,000 LTE-3271BL 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 30mW/sr @ 100mA 50° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:30mW/sr @ 100mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 視角:50° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標準包裝:1,000 LTE-3271B 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.25V 100mA 6mW/sr @ 20mA 50° Radial 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:6mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.25V 視角:50° 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 標準包裝:1,000 LTE-302-M 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.2V 50mA 0.662mW/sr @ 20mA 40° Radial, Side View 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向（If）:50mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:0.662mW/sr @ 20mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.2V 視角:40° 朝向:側視圖 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向，側視圖 標準包裝:1,000 LTE-5238A LTE-7477LM1-TA LTE-7571LM1 LTE-C1901 LTE-C1906R-14 LTE-C216R-14 LTE-C9301 LTE-C9306 LTE-R38381S-S-U LTE-R38381-STR-U LTE-R38381S-ZF-U LTE-R38386A-S-U LTE-R38386A-ZF-U LTE-R38386-S LTE-R38386S-S-U LTE-R38386S-ZF-U LTE-S9511E LTF3020T-100M-D
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