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LTESV

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LTESV 技術參數

LTE-R38386S-ZF-U 功能描述:SMD-IR HIGH POWER LED 制造商:lite-on inc. 系列:* 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線標準包裝:1 LTE-R38386S-S-U 功能描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:320mW/sr @ 1A 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:3V 視角:90° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線標準包裝:1 LTE-R38386-S 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.8V 1A 160mW/sr @ 1A 90° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:160mW/sr @ 1A 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 視角:90° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線，裸露焊盤標準包裝:1 LTE-R38386A-ZF-U 功能描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:150mW/sr @ 1A 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 視角:150° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線標準包裝:1 LTE-R38386A-S-U 功能描述:EMITTER IR 850NM 1A SMD 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:1A 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:250mW/sr @ 1A 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.8V 視角:90° 朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，無引線標準包裝:1 LTF3020T-470M-D LTF3020T-4R7N-D LTF3020T-560M-D LTF3020T-5R6N-D LTF3020T-6R8N-D LTF4022T-100M-D LTF4022T-150M-D LTF4022T-1R2N-D LTF4022T-1R8N-D LTF4022T-220M-D LTF4022T-2R2N-D LTF4022T-330M-D LTF4022T-3R3N-D LTF4022T-470M-D LTF4022T-4R7N-D LTF4022T-560M-D LTF4022T-5R6N-D LTF4022T-6R8N-D