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LTR50UZPJ513

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制造商
ROHM Semiconductor
功能描述
RES 51K OHM 1W 5% 2010 WIDE

LTR50UZPJ513 技術參數

LTR-4206E 功能描述:PHOTOTRAN NPN 3MM IR DARK 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4.8mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:940nm 視角:20° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:T-1 標準包裝:1,000 LTR-4206 功能描述:PHOTOTRAN NPN 3MM IR CLEAR 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4.8mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:940nm 視角:20° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:T-1 標準包裝:1,000 LTR-329ALS-01 功能描述:Optical Sensor Ambient I2C 4-VDFN 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效類型:環境波長:- 接近探測:無輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.5 V ~ 3.6 V 工作溫度:-30°C ~ 70°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-VDFN 供應商器件封裝:4-DFN-EP（2x2）標準包裝:1 LTR-323DB 功能描述:PHOTODIODE PTX 5MM CLEAR 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電流 - 暗（Id）（最大值）:30nA 波長:900nm 視角:60° 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1,000 LTR-3208E 功能描述:PHOTOTRAN NPN 5MM IR DARK 制造商:lite-on inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3.12mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:940nm 視角:20° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1,000 LTR50UZPJ623 LTR50UZPJ680 LTR50UZPJ681 LTR50UZPJ682 LTR50UZPJ683 LTR50UZPJ684 LTR50UZPJ6R8 LTR50UZPJ750 LTR50UZPJ751 LTR50UZPJ752 LTR50UZPJ753 LTR50UZPJ7R5 LTR50UZPJ820 LTR50UZPJ821 LTR50UZPJ822 LTR50UZPJ823 LTR50UZPJ8R2 LTR50UZPJ910