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M29W400DB55N6E-V201

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M29W400DB55N6E-V201 技術參數
  • M29W400DB55N6E 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W400DB55N6 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W400DB55N3T 功能描述:IC FLASH 4MBIT 55NS 48TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ M29W400DB55N1 功能描述:閃存 512Kx8 or 256Kx16 55 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W400DB45ZE6E 功能描述:閃存 4 MBIT 3V SUPPLY RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M29W400DB70ZE6E M29W400DT45N6E M29W400DT45ZE6E M29W400DT55N6 M29W400DT55N6E M29W400DT55N6F M29W400DT55N6F TR M29W400DT55ZE6E M29W400DT55ZE6F M29W400DT55ZE6F TR M29W400DT70N1 M29W400DT70N6E M29W400DT70N6F M29W400DT70N6F TR M29W400DT70ZE6E M29W400DT70ZE6F TR M29W400FB55N3E M29W400FB55N3F
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