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M470L3324BTU0-CLB0

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  • 制造商
  • SAMSUNG
  • 制造商全稱
  • Samsung semiconductor
  • 功能描述
  • DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die
M470L3324BTU0-CLB0 技術參數
  • M45PE80-VMW6TG 功能描述:閃存 SERIAL FLASH 8 Mbit Datas RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M45PE80-VMW6G 功能描述:閃存 SERIAL FLASH 8 Mbit Datas RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M45PE80-VMP6TG 功能描述:閃存 2.7-3.6V 8M (1Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M45PE80-VMP6G 功能描述:閃存 8M (1Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M45PE80-VMP6 功能描述:閃存 SERIAL FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel M4723 SL001 M4723 SL002 M4723 SL005 M4724 SL001 M4724 SL002 M4724 SL005 M4726 SL001 M4726 SL002 M4726 SL005 M4728 SL001 M4728 SL002 M4728 SL005 M4730 SL001 M4730 SL002 M4730 SL005 M4732 SL002 M4732 SL005 M4734 SL002
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