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M5832 (DIP18)

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M5832 (DIP18) 技術參數

M57962L 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 M57962CL-01 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 M57959L 功能描述:IC GATE DRVR FOR IGBT MOD RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關系列:- 標準包裝:5 系列:- 配置:低端輸入類型:非反相延遲時間:600ns 電流 - 峰:12A 配置數:1 輸出數:1 高端電壓 - 最大（自引導啟動）:- 電源電壓:14.2 V ~ 15.8 V 工作溫度:-20°C ~ 60°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:21-SIP 模塊供應商設備封裝:模塊包裝:散裝配用:BG2A-NF-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBT 其它名稱:835-1063 M57184N-715B 功能描述:CONV DC-DC STPDWN IPM 9-SIP 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:非隔離 PoL 模塊輸出數:2 電壓 - 輸入（最小值）:140V 電壓 - 輸入（最大值）:360V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:5V 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:350mA，200mA 功率（W） - 制造系列:6W 電壓 - 隔離:- 應用:ITE（商業）特性:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:18-SIP 模塊（9 引線）大小/尺寸:2.05" 長 x 0.47" 寬 x 0.95" 高（52.1mm x 11.9mm x 24.1mm）工作溫度:-20°C ~ 70°C 效率:- 功率（W） - 最大值:6W 標準包裝:1 M57182N-315F 功能描述:CONV DC/DC HI-VOLT INPUT 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效類型:非隔離 PoL 模塊輸出數:1 電壓 - 輸入（最小值）:140V 電壓 - 輸入（最大值）:380V 電壓 - 輸出 1:15V 電壓 - 輸出 2:- 電壓 - 輸出 3:- 電流 - 輸出（最大值）:200mA 功率（W） - 制造系列:3W 電壓 - 隔離:- 應用:ITE（商業）特性:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:12-SIP 模塊（6 引線）大小/尺寸:1.38" 長 x 0.34" 寬 x 0.79" 高（35.1mm x 8.6mm x 20.1mm）工作溫度:-10°C ~ 70°C 效率:70% 功率（W） - 最大值:3W 標準包裝:1 M58BW016FB7T3T M58BW016FB7T3T TR M58BW16FB4T3F M58BW16FB4T3T M58BW16FB4T3T TR M58BW16FB4ZA3F TR M58BW16FB4ZA3T M58BW16FB5T3F TR M58BW16FB5T3T M58BW16FB5T3T TR M58BW16FB5ZA3F M58BW16FB5ZA3F TR M58BW32FB4T3F M58BW32FB4T3T M58BW32FB4T3T TR M58BW32FB4ZA3F M58BW32FB4ZA3T M58BW32FB5T3F TR