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MAP4KE82CE3TR

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MAP4KE82CE3TR 技術參數
  • MAP4KE82CAE3 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):70.1V 電壓 - 擊穿(最小值):77.9V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):3.5A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 MAP4KE82CA 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):70.1V 電壓 - 擊穿(最小值):77.9V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):3.5A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 MAP4KE82AE3 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):70.1V 電壓 - 擊穿(最小值):77.9V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):3.5A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 MAP4KE82A 功能描述:TVS DIODE 70.1VWM 113VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):70.1V 電壓 - 擊穿(最小值):77.9V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:113V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):3.5A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 MAP4KE8.2CAE3 功能描述:TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC DO41 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):7.02V 電壓 - 擊穿(最小值):7.79V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:12.1V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):33A 功率 - 峰值脈沖:400W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:1 MAP55-1012 MAP55-1012G MAP55-1024 MAP55-1024C MAP55-1024G MAP55-4000 MAP55-4000G MAP55-4001 MAP55-4001C MAP55-4001G MAP55-4002 MAP55-4002G MAP55-4003 MAP55-4003G MAP55-4004 MAP55-4004G MAP5KE100A MAP5KE100AE3
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