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MBRM360_2

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制造商
DIODES
制造商全稱
Diodes Incorporated
功能描述
3A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

MBRM360_2 技術參數(shù)

MBRM3100-13-F 功能描述:DIODE SCHOTTKY 100V 3A 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:760mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:100pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:Powermite?3 供應商器件封裝:Powermite 3 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:5,000 MBRH20045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MBRH20045 功能描述:DIODE MODULE 45V 200A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5mA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:* 標準包裝:50 MBRH12045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 45V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MBRH12040R 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A D-67 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:120A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:700mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 40V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:D-67 半封裝供應商器件封裝:D-67 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MBRP1-100-01 MBRP1-125-01 MBRP1-187-01 MBRP1-250-01 MBRP1545NTU MBRP20030CTL MBRP20030CTLG MBRP2045NTU MBRP30060CT MBRP30060CTG MBRP3010NTU MBRP3045NTU MBRP400100CTL MBRP400100CTLG MBRP745TU MBRR1-01 MBRS10100 MNG MBRS10100CT MNG