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MBS396-636GG

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MBS396-636GG 技術參數(shù)
  • MBRT40045R 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):400A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:三塔 供應商器件封裝:三塔 標準包裝:25 MBRT40045 功能描述:DIODE MODULE 45V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):45V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):400A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:三塔 供應商器件封裝:三塔 標準包裝:25 MBRT40035R 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):400A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:三塔 供應商器件封裝:三塔 標準包裝:25 MBRT40035 功能描述:DIODE MODULE 35V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陰極 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):35V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):400A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:三塔 供應商器件封裝:三塔 標準包裝:25 MBRT400100R 功能描述:DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管配置:1 對共陽極 二極管類型:肖特基,反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):400A(DC) 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):880mV @ 200A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 20V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:三塔 供應商器件封裝:三塔 標準包裝:25 MBSH-TR MBSH-TR316 MBS-MR MBS-MR316 MBS-TLR MBS-TLR316 MBT14H MBT14H-S MBT14S MBT14S-S MBT20H MBT20H-S MBT20S MBT20S-S MBT2222ADW1T1G MBT27H MBT27H-S MBT27S
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