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MCH-BUTTON-LP4

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

MCH-BUTTON-LP4
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
50016
3M
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

MCH-BUTTON-LP4
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
73368
3M
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

MCH-BUTTON-LP4
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
3M
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

MCH-BUTTON-LP4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：劉春蘭
電話：19129491434(微信同號)
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
10000
3M
原裝
2013+
-
授權分銷現貨熱賣

1/1頁 40條/頁共5條
1

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功能描述
MEMORY CARD HEADER
RoHS
否
類別
連接器，互連式 >> 存儲器 - PC 卡 - 連接器
系列
-
產品目錄繪圖
67600-8001
標準包裝
1
系列
67600
卡類型
安全數字式 - SD
位置數
12（9 + 3）
連接器類型
連接器和彈出器
插入，移除方法
推入式，推出式
彈出器側
-
安裝類型
表面貼裝，直角
特點
開關
板上方高度
0.110"（2.80mm）
安裝特點
正常，標準 - 頂部
包裝
Digi-Reel®
觸點表面涂層
金
觸點涂層厚度
2µin（0.05µm）
其它名稱
WM19017DKR

MCH-BUTTON-LP4 技術參數

MCH6935-TL-E 功能描述:TRANS PNP/MOSFET N-CH MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP，N 通道應用:通用電壓 - 額定:30V PNP，30V N 通道額定電流:700mA PNP，150mA N 通道安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6626-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A，1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 800mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:105pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCHC11F1VFNE4R MCHC705B16NCFNE MCHC705B16NVFNE MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE MCHC705KJ1CPE MCHC711KS2CFNE3 MCHC711KS2CFNE4 MCHC711KS2MFNE4 MCHC711KS2VFNE3 MCHC908AB32CFUR2 MCHC908GR8ACFAE MCHC908GR8AMFAE MCHC908GR8AMFAER MCHC908GR8AVFAE MCHC908GR8CFAE MCHC908GR8CFAER