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MCH38FM121J

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • MCH38FM121J
    MCH38FM121J

    MCH38FM121J

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 86074

  • Cornell Dubilier - CDE

  • 3838 (9696 metric)

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • MCH38FM121J
    MCH38FM121J

    MCH38FM121J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • Cornell Dubilier Electron

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
MCH38FM121J PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 云母電容器 120pF 4000V
  • RoHS
  • 電容
  • 100 pF
  • 容差
  • 5 %
  • 電壓額定值
  • 300 V
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 125 C
  • 溫度系數
  • 0 PPM / C, 70 PPM / C
  • 端接類型
  • Radial
  • 封裝 / 箱體
  • 產品
  • Mica Standard Dipped Capacitors
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
MCH38FM121J 技術參數
  • MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 900mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標準包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 2A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):800mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):890 毫歐 @ 400mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH185FN473ZK 功能描述:0.047μF 50V 陶瓷電容器 Y5V(F) 0603(1608 公制) 0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 電容:0.047μF 容差:-20%,+80% 電壓 - 額定:50V 溫度系數:Y5V(F) 安裝類型:表面貼裝,MLCC 工作溫度:-30°C ~ 85°C 應用:通用 等級:- 封裝/外殼:0603(1608 公制) 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.035"(0.90mm) 厚度(最大值):- 引線間距:- 特性:- 引線形式:- 標準包裝:10 MCH38FM220J MCH38FM220J-Y MCH38FM221J MCH38FM221J-Y MCH38FM270J MCH38FM270J-Y MCH38FM330J MCH38FM330J-Y MCH38FM390J MCH38FM390J-Y MCH38FM470J MCH38FM470J-Y MCH38FM560J MCH38FM560J-Y MCH38FM680J MCH38FM680J-Y MCH38FM820J MCH38FM820J-Y
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