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MCH5823

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  • MCH5823-TL-E
    MCH5823-TL-E

    MCH5823-TL-E

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • SANYO

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  • 制造商
  • SANYO
  • 制造商全稱
  • Sanyo Semicon Device
  • 功能描述
  • MOSFET
MCH5823 技術參數
  • MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,1V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:4-MCPH 標準包裝:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.8A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 900mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標準包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 2A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):800mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):890 毫歐 @ 400mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):83 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W MCH6331-TL-E MCH6331-TL-H MCH6331-TL-W MCH6336-P-TL-E MCH6336-S-TL-E MCH6336-TL-H MCH6336-TL-W MCH6337-TL-E
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