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MCH6102-TL-E

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

MCH6102-TL-E
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
55740
onsemi
MCPH
2025+
-

MCH6102-TL-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
77147
onsemi
6-SMD, Flat Leads
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

MCH6102-TL-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
49390
ON Semiconductor
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

MCH6102-TL-E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
13320
ON SEMICO
DIGI-REEL?
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共15條
1

您是不是要找： MCH6103-TL-E MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E

MCH6102-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MCH6102-TL-E PDF下載

功能描述
TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路
系列
-
標準包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
頻率 - 轉換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MMBT489LT1GOSDKR

MCH6102-TL-E 技術參數

MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式），邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 1A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.8nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD（5引線），扁引線供應商器件封裝:5-MCPH 標準包裝:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線供應商器件封裝:4-MCPH 標準包裝:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 900mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標準包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 2A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:800mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:890 毫歐 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-MCPH 標準包裝:1 MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W MCH6331-TL-E MCH6331-TL-H MCH6331-TL-W MCH6336-P-TL-E MCH6336-S-TL-E MCH6336-TL-H MCH6336-TL-W MCH6337-TL-E MCH6337-TL-H MCH6337-TL-W MCH6341-TL-E MCH6341-TL-H MCH6341-TL-W MCH6342-TL-H MCH6342-TL-W MCH6344-TL-H