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MCH6545

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

MCH6545-TL-E
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
55740
onsemi
6-MCPH
2025+
-

MCH6545-TL-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
50214
onsemi
6-SMD, Flat Leads
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

MCH6545-TL-E
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
8062
ON Semiconductor
SOT-363-6
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

MCH6545-TL-E
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
ON Semiconductor
6-SMD，扁平引線
21+
-
質量保真，價格實惠，假一罰十

MCH6545-TL-E
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
ON SEMICO
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共15條
1

您是不是要找： MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E MCH6605-TL-E MCH6606-TL-E MCH6613-TL-E MCH6626-TL-E

MCH6545 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MCH6545 PDF下載

制造商
SANYO
制造商全稱
Sanyo Semicon Device
功能描述
Push-Pull Circuit Applications

MCH6545 技術參數

MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.2nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:41 毫歐 @ 3A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:49 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:225mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:375mV @ 15mA，750mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6660-TL-H MCH6660-TL-W MCH6661-TL-W MCH6662-TL-H MCH6662-TL-W MCH6663-TL-H MCH6663-TL-W MCH6664-TL-W MCH6935-TL-E MCH-BUTTON-LP4 MCHC11F1CFNE2 MCHC11F1CFNE2R MCHC11F1CFNE3 MCHC11F1CFNE3R MCHC11F1CFNE4 MCHC11F1CFNE4R MCHC11F1CFNE5 MCHC11F1VFNE3