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MCH6610-TL

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  • 封裝
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  • 操作
  • MCH6610-TL-E
    MCH6610-TL-E

    MCH6610-TL-E

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 72540

  • SANYO

  • MCPH6

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • MCH6610-TL-E
    MCH6610-TL-E

    MCH6610-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • MCPH6

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨!

  • MCH6610-TL-E
    MCH6610-TL-E

    MCH6610-TL-E

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯(lián)系人:林先生

    電話:15913992480

    地址:深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 3000

  • SANYO

  • N/B

  • 16+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • MCH6610-TL-E
    MCH6610-TL-E

    MCH6610-TL-E

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • SANYO

  • NULL

  • 3

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
  • 1
MCH6610-TL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
MCH6610-TL 技術參數(shù)
  • MCH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 3A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.2nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):680pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6412-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 3A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):375mV @ 15mA,750mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6664-TL-W MCH6935-TL-E MCH-BUTTON-LP4 MCHC11F1CFNE2 MCHC11F1CFNE2R MCHC11F1CFNE3 MCHC11F1CFNE3R MCHC11F1CFNE4 MCHC11F1CFNE4R MCHC11F1CFNE5 MCHC11F1VFNE3 MCHC11F1VFNE4 MCHC11F1VFNE4R MCHC705B16NCFNE MCHC705B16NVFNE MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE
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