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MCHC11F1CFNE3-CT

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MCHC11F1CFNE3-CT PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MCHC11F1CFNE3-CT 技術參數

MCHC11F1CFNE3 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT MCHC11F1CFNE2R 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT MCHC11F1CFNE2 功能描述:8位微控制器 -MCU 8B MCU 1KRAM 512EE RoHS:否制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數據 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT MCH6935-TL-E 功能描述:TRANS PNP/MOSFET N-CH MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP，N 通道應用:通用電壓 - 額定:30V PNP，30V N 通道額定電流:700mA PNP，150mA N 通道安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCH6626-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.6A，1A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 800mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.4nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:105pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-SMD，扁平引線供應商器件封裝:6-MCPH 標準包裝:1 MCHC705JJ7CPE MCHC705JP7CDWE MCHC705KJ1CDWE MCHC705KJ1CPE MCHC711KS2CFNE3 MCHC711KS2CFNE4 MCHC711KS2MFNE4 MCHC711KS2VFNE3 MCHC908AB32CFUR2 MCHC908GR8ACFAE MCHC908GR8AMFAE MCHC908GR8AMFAER MCHC908GR8AVFAE MCHC908GR8CFAE MCHC908GR8CFAER MCHC908GR8MFAE MCHC908GR8VFAE MCHC908JK1CPE