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MJD2955/3055

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MJD2955/3055 技術參數

MJD127T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD122T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD122-1 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 8A TO251 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:4V @ 80mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 4A，4V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251-3 標準包裝:75 MJD117T4 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:25MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD112T4 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 40mA，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:1000 @ 2A，3V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:25MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD3055T4 MJD3055T4G MJD3055TF MJD31C MJD31C1 MJD31C-13 MJD31C1G MJD31CG MJD31CITU MJD31CQ-13 MJD31CRL MJD31CRLG MJD31CT4 MJD31CT4-A MJD31CT4G MJD31CTF MJD31CTF_NBDD001 MJD31CTF_SBDD001A