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MJD41C--252

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MJD41C--252 技術參數
  • MJD361T4-A 功能描述:TRANS PNP 60V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):900mV @ 150mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):20μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 1A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD350T4 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD340T4 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD32CT4-A 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD32CT4 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 375mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 3A,4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD42CRLG MJD42CT4 MJD42CT4G MJD44E3T4G MJD44H11-001 MJD44H11-1G MJD44H11G MJD44H11RLG MJD44H11T4 MJD44H11T4-A MJD44H11T4G MJD44H11T5 MJD44H11T5G MJD44H11TF MJD44H11TM MJD45H11-001 MJD45H11-1G MJD45H11G
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