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MJD44H11_11

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制造商
ONSEMI
制造商全稱
ON Semiconductor
功能描述
Complementary Power Transistors

MJD44H11_11 技術參數(shù)

MJD361T4-A 功能描述:TRANS PNP 60V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:900mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1A，4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD350T4 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD340T4 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD32CT4-A 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A，4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD32CT4 功能描述:TRANS PNP 100V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 375mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 3A，4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD44H11TF MJD44H11TM MJD45H11-001 MJD45H11-1G MJD45H11G MJD45H11RLG MJD45H11T4 MJD45H11T4G MJD45H11TF MJD45H11TM MJD47 MJD47G MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD50 MJD50G MJD50T4