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MJD45H11G ON

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MJD45H11G ON 技術參數
  • MJD44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 MJD44H11T4 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD361T4-A 功能描述:TRANS PNP 60V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:900mV @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:20μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1A，4V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD350T4 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD340T4 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD47TF MJD50 MJD50G MJD50T4 MJD50T4G MJD50TF MJD5731T4 MJD5731T4G MJD6039T4 MJD6039T4G MJE13003 MJE13003G MJE13005 MJE13005G MJE13007 MJE13007G MJE13009 MJE13009G
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