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MJE15032/MJE15033

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MJE15032/MJE15033 技術參數
  • MJD50T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD47T4 功能描述:TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):250V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 200mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 300mA,10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD45H11T4 功能描述:TRANS PNP 80V 8A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 400mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 400mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 MJD44H11T4 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):8A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 400mA,8A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 4A,1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJE170STU MJE171 MJE171G MJE171STU MJE172 MJE172G MJE172STU MJE180 MJE18002 MJE18002G MJE18004 MJE18004D2 MJE18004D2G MJE18004G MJE18006 MJE18006G MJE18008 MJE18008G
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