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MJE18004DW

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MJE18004DW 技術參數

MJE172 功能描述:TRANS PNP 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:2,000 MJD50T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD47T4 功能描述:TRANS NPN 250V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:250V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD45H11T4 功能描述:TRANS PNP 80V 8A D-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJD44H11T4-A 功能描述:TRANS NPN 80V 8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 4A，1V 功率 - 最大值:20W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:TO-252 標準包裝:1 MJE181G MJE181STU MJE182 MJE182G MJE182STU MJE200G MJE200STU MJE200TSTU MJE210 MJE210G MJE210STU MJE210T MJE210TG MJE243G MJE253G MJE270 MJE270G MJE271