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MJE2955TAS

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MJE2955TAS 技術參數
  • MJE2955T 功能描述:TRANS PNP 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:8V @ 3.3A，10A 電流 - 集電極截止（最大值）:700μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A，4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 MJE210 功能描述:TRANS PNP 25V 5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.8V @ 1A，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:45 @ 2A，1V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:65MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE182 功能描述:TRANS NPN 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE172 功能描述:TRANS PNP 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.7V @ 600mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:2,000 MJD50T4 功能描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 300mA，10V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:10MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 MJE344G MJE350 MJE350G MJE350STU MJE371 MJE371G MJE4343 MJE4343G MJE4353 MJE4353G MJE521 MJE521G MJE5730 MJE5730G MJE5731 MJE5731A MJE5731AG MJE5731G
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