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MJE3055TL TO251

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MJE3055TL TO251 技術參數
  • MJE3055T 功能描述:TRANS NPN 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 MJE2955T 功能描述:TRANS PNP 60V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):8V @ 3.3A,10A 電流 - 集電極截止(最大值):700μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 4A,4V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:2MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 MJE210 功能描述:TRANS PNP 25V 5A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.8V @ 1A,5A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):45 @ 2A,1V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:65MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE182 功能描述:TRANS NPN 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.7V @ 600mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 MJE172 功能描述:TRANS PNP 80V 3A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.7V @ 600mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:12.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:2,000 MJE371 MJE371G MJE4343 MJE4343G MJE4353 MJE4353G MJE521 MJE521G MJE5730 MJE5730G MJE5731 MJE5731A MJE5731AG MJE5731G MJE5742 MJE5742G MJE5850 MJE5850G
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