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MLF2012DR18K-T

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  • MLF2012DR18K-T
    MLF2012DR18K-T

    MLF2012DR18K-T

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • MLF2012DR18K-T
    MLF2012DR18K-T

    MLF2012DR18K-T

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話：13428937514

    地址：門市: 新華強(qiáng)廣場2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場58樓5813室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5422

  • TDK

  • 98

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MLF2012DR18K-T 技術(shù)參數(shù)
  • MLF2012DR18JTD25 功能描述:180nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 250 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:180nH 容差:±5% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:250 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:280MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLF2012DR15MTD25 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLF2012DR15M 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±20% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLF2012DR15KTD25 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±10% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級(jí):AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLF2012DR15KT000 功能描述:150nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 200 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLF 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150nH 容差:±10% 額定電流:300mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:200 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:20 @ 25MHz 頻率 - 自諧振:320MHz 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:25MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.041"（1.05mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MLF2012DR22KTD25 MLF2012DR22M MLF2012DR22MT MLF2012DR22MT000 MLF2012DR22MTD25 MLF2012DR27JT000 MLF2012DR27JTD25 MLF2012DR27KT000 MLF2012DR27KTD25 MLF2012DR27M MLF2012DR27MT MLF2012DR27MT000 MLF2012DR27MTD25 MLF2012DR33JT000 MLF2012DR33JTD25 MLF2012DR33KT000 MLF2012DR33KTD25 MLF2012DR33M
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