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MMBTA63LT1G/BKN

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MMBTA63LT1G/BKN 技術參數

MMBTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:新產品晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:750mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 MMBTA42,215 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）基本零件編號:MMBTA42 標準包裝:1 MMBTA42 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA28-7 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA92,215 MMBTA92_D87Z MMBTA92-7 MMBTA92-7-F MMBTA92HLT1G MMBTA92LT1 MMBTA92LT1G MMBTA92LT3 MMBTA92LT3G MMBTA92-TP MMBTA93LT1 MMBTA93LT1G MMBTH10 MMBTH10-4LT1 MMBTH10-4LT1G MMBTH10-7 MMBTH10-7-F MMBTH10LT1