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MMBZ5251BLTIG

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
ON Semiconductor
功能描述

MMBZ5251BLTIG 技術參數(shù)

MMBZ5250BW-7-F 功能描述:DIODE ZENER 20V 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 15V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMBZ5250BS-7 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 20V SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:20V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 15V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000 MMBZ5245BW-7-F 功能描述:DIODE ZENER 15V 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:16 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMBZ5243BW-7-F 功能描述:DIODE ZENER 13V 200MW SOT323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMBZ5243BS-7 功能描述:DIODE ZENER ARRAY 13V SOT363 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效配置:2 個獨立式電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:13 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000 MMBZ5251C-G3-08 MMBZ5251C-G3-18 MMBZ5251C-HE3-08 MMBZ5251C-HE3-18 MMBZ5252B MMBZ5252B_D87Z MMBZ5252B-7 MMBZ5252B-7-F MMBZ5252B-E3-08 MMBZ5252B-E3-18 MMBZ5252B-G3-08 MMBZ5252B-G3-18 MMBZ5252B-HE3-08 MMBZ5252B-HE3-18 MMBZ5252BLT1 MMBZ5252BLT1G MMBZ5252BS-7 MMBZ5252BS-7-F