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MMSZ18T1G/BKN

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MMSZ18T1G/BKN 技術參數

MMSTA64-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSTA64-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 MMSTA63-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 MMSTA14-7-F 功能描述:TRANS NPN DARL 30V 0.3A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:300mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSZ27ET1 MMSZ27ET1G MMSZ27T1G MMSZ27T3 MMSZ27T3G MMSZ28VCF MMSZ2V4ET1 MMSZ2V4T1 MMSZ2V4T1G MMSZ2V4T3G MMSZ2V7ET1 MMSZ2V7T1 MMSZ2V7T1G MMSZ2V7T3G MMSZ30T1 MMSZ30T1G MMSZ33T1 MMSZ33T1G