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MMSZ5226B13

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MMSZ5226B13 技術參數

MMSZ5225BS-7-F 功能描述:DIODE ZENER 3V 200MW SOD323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:200mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 基本零件編號:MMSZ5225B 標準包裝:1 MMSTA64-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSTA64-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 MMSTA63-7-F 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:1 MMSTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SC70-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 100μA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323 標準包裝:3,000 MMSZ5226BS-7-F MMSZ5226BT1 MMSZ5226BT1G MMSZ5226BT3 MMSZ5226BT3G MMSZ5226B-TP MMSZ5226C-E3-08 MMSZ5226C-E3-18 MMSZ5226C-G3-08 MMSZ5226C-G3-18 MMSZ5226C-HE3-08 MMSZ5226C-HE3-18 MMSZ5226CT1G MMSZ5226ET1 MMSZ5226ET1G MMSZ5227B MMSZ5227B RHG MMSZ5227B-7