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MRF4427G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MRF4427G - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

MRF4427G 技術參數

MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:30 MRF428 功能描述:TRANS RF NPN 55V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:10 MRF426 功能描述:TRANS RF NPN 35V 3A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:25dB 功率 - 最大值:25W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 1A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-07 供應商器件封裝:211-07、STYLE 1 標準包裝:30 MRF422 功能描述:TRANS RF NPN 35V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:35V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:10 MRF421 功能描述:TRANS RF NPN 20V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:100W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:10 MRF517 MRF544 MRF553 MRF553G MRF553GT MRF553T MRF555 MRF555G MRF555GT MRF555T MRF559 MRF559G MRF559GT MRF559T MRF581 MRF5812 MRF5812G MRF5812GR1