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MRF49XA-I/T

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制造商
MICROCHIP
制造商全稱
Microchip Technology
功能描述
ISM Band Sub-GHz RF Transceiver

MRF49XA-I/T 技術參數

MRF455 功能描述:TRANS RF NPN 18V 15A 211-07 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:18V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:13dB 功率 - 最大值:60W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-07 供應商器件封裝:211-07、STYLE 1 標準包裝:10 MRF454 功能描述:TRANS RF NPN 25V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:12dB 功率 - 最大值:80W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:10 MRF448 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:14dB 功率 - 最大值:250W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:30 MRF429 功能描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:16A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:30 MRF428 功能描述:TRANS RF NPN 55V 20A 211-11 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:15dB 功率 - 最大值:150W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 5A，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:211-11，2 型供應商器件封裝:211-11，2 型標準包裝:10 MRF555GT MRF555T MRF559 MRF559G MRF559GT MRF559T MRF581 MRF5812 MRF5812G MRF5812GR1 MRF5812GR2 MRF5812R1 MRF5812R2 MRF581A MRF581AG MRF581G MRF586 MRF587