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MSG61VH134

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MSG61VH134 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

MSG61VH134 技術參數

MSG150 功能描述:Diode Schottky 50V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:580mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 MSG145 功能描述:Diode Schottky 45V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:580mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 45V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 MSG140 功能描述:Diode Schottky 40V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:580mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 40V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1 MSG110 功能描述:Diode Schottky 100V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:830mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 MSG109 功能描述:Diode Schottky 90V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:90V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:810mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 90V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 MS-GX8-1X10 MS-GXL12 MS-GXL12-1 MS-GXL12-2 MS-GXL15 MS-GXL15-2 MS-GXL8 MS-GXL8-3 MS-GXL8-4 MS-H12 MSH125-C MSH150-C MS-H18 MS-H30 MS-HLAC1-1 MS-HLT1-1 MSI1225H12B1+6-BBR MSI1225H12B1-BBR