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MSM6000(CD90-V3050-2ATR)

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MSM6000(CD90-V3050-2ATR) 技術(shù)參數(shù)

MSM51V18165F-60T3 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP MSM51V18165F-60J3-7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 MSM51V18160F-60T3-K7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 MSM5118165F-60T3K-MT 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 50TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 MSM5118165F-60J3-7 功能描述:IC DRAM 16MBIT 60NS 42SOJ RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 MSM7515 MSM7524 MSM7528 MSM8009F MSM8012F MSM8015F MSM8024F MSMA102P1G MSMA102P1H MSMA102S1G MSMA102S1H MSMA152P1G MSMA152P1H MSMA152S1G MSMA152S1H MSMA202P1C MSMA202P1G MSMA202P1H

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