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MSMBJ33AE3TR

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MSMBJ33AE3TR 技術參數
  • MSMBJ33AE3 功能描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):33V 電壓 - 擊穿(最小值):36.7V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:53.3V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):11.3A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMBJ(DO-214AA) 標準包裝:1 MSMBJ33A 功能描述:TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):33V 電壓 - 擊穿(最小值):36.7V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:53.3V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):11.3A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMBJ(DO-214AA) 標準包裝:1 MSMBJ30CAE3 功能描述:TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):30V 電壓 - 擊穿(最小值):33.3V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:48.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):12.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMBJ(DO-214AA) 標準包裝:1 MSMBJ30CA 功能描述:TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:1 電壓 - 反向關態(典型值):30V 電壓 - 擊穿(最小值):33.3V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:48.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):12.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMBJ(DO-214AA) 標準包裝:1 MSMBJ30AE3 功能描述:TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500 包裝:散裝 零件狀態:在售 類型:齊納 單向通道:1 雙向通道:- 電壓 - 反向關態(典型值):30V 電壓 - 擊穿(最小值):33.3V 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:48.4V 電流 - 峰值脈沖(10/1000μs):12.4A 功率 - 峰值脈沖:600W 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMBJ(DO-214AA) 標準包裝:1 MSMBJ40CAE3 MSMBJ43A MSMBJ43AE3 MSMBJ43CA MSMBJ43CAE3 MSMBJ45A MSMBJ45AE3 MSMBJ45CA MSMBJ45CAE3 MSMBJ48A MSMBJ48AE3 MSMBJ48CA MSMBJ48CAE3 MSMBJ5.0A MSMBJ5.0AE3 MSMBJ5.0CA MSMBJ5.0CAE3 MSMBJ51A
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