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MT41J256M8DA-187EE

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MT41J256M8DA-187EES:J
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
5550
MICRON
BGA
22+
-
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MT41J256M8DA-187EE 技術(shù)參數(shù)

MT41J256M8DA-125:K TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC COMM MT41J256M8DA-125:K 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.5V 78-Pin FBGA 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.5V - Bulk 制造商:Micron Technology 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.5V 78-Pin FBGA MT41J256M8DA-107:K 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.5V 78-Pin FBGA 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.5V - Bulk 制造商:Micron Technology 功能描述:DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.5V 78-Pin FBGA MT41J256M8DA-093:K 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:256MX8 DDR3 SDRAM PLASTIC COMMERCIAL PBF FBGA 1.5V - Bulk 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC DDR3 SDRAM 2GBIT FBGA MT41J256M4JP-15E:G 功能描述:IC DDR3 SDRAM 1GBIT 78FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT41J256M8JE-187E:A MT41J512M4HX-125:D MT41J512M4HX-15E:D MT41J512M4HX-187E:D MT41J512M4JE-15E:A MT41J512M8RA-15E IT:D MT41J512M8RH-093:E MT41J512M8RH-093:E TR MT41J512M8RH-107:E MT41J512M8THD-15E:D MT41J512M8THD-187E:D MT41J512M8THU-15E:A MT41J512M8THU-187E:A MT41J64M16JT-107:G MT41J64M16JT-125:G MT41J64M16JT-125:G TR MT41J64M16JT-125E:G MT41J64M16JT-15E AAT:G