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MT47H128M8CF-3L

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說明
操作

MT47H128M8CF-3L
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
6719
MICRON
FBGA
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

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MT47H128M8CF-3L PDF下載

制造商
MICRON
制造商全稱
Micron Technology
功能描述
DDR2 SDRAM

MT47H128M8CF-3L 技術參數

MT47H128M8CF-3:H TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H128M8CF-3:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步存儲容量:4.5M（256K x 18）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20）包裝:托盤 MT47H128M8CF-3 L:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT47H128M8CF-3 IT:H TR 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR MT47H128M8CF-3 IT:H 功能描述:IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:45ns 接口:并聯電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA（6x8）包裝:帶卷 (TR) MT47H128M8JN-3:H MT47H128M8SH-187E:M MT47H128M8SH-25E AAT:M MT47H128M8SH-25E AIT:M MT47H128M8SH-25E IT:M MT47H128M8SH-25E:M MT47H16M16BG-3 IT:B TR MT47H16M16BG-3:B TR MT47H16M16BG-37E:B TR MT47H16M16BG-37V:B MT47H16M16BG-3E:B MT47H16M16BG-5E:B MT47H16M16BG-5E:B TR MT47H1G4WTR-25E:C MT47H1G4WTR-25E:C TR MT47H256M4B7-37E:A MT47H256M4B7-37E:A TR MT47H256M4B7-5E:A