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MURF2060CT

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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MURF2060CT 技術參數
  • MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):70A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 70A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:2 個獨立式 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):200A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.3V @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):90ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 400V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MUR2X100A02 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管配置:2 個獨立式 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io)(每二極管):200A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 200V 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MURF30060R MURF40005 MURF40005R MURF40010 MURF40010R MURF40020 MURF40020R MURF40040 MURF40040R MURF40060 MURF40060R MURF550PFG MURF860 MURF860G MURF8L60 C0G MURF8L60HC0G MURH10005 MURH10005R
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