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MURS120-FDI

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MURS120-FDI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
聯系人：廖小姐
電話：13410012158
地址：廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層
5000
DIODES
SMB
11+
-
100%進口原裝正品，只做原裝

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MURS120-FDI 技術參數

MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 絕緣，TO-220AC 供應商器件封裝:ITO-220AC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR2X100A04 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:2 個獨立式二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:200A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 100A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:90ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 400V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商器件封裝:SOT-227 標準包裝:10 MURS140-13 MURS140-13-F MURS140-E3/52T MURS140-E3/5BT MURS140HE3/52T MURS140HE3/5BT MURS140HE3_A/H MURS140HE3_A/I MURS140-M3/52T MURS140-M3/5BT MURS140T3 MURS140T3G MURS160/2 MURS160-13 MURS160-13-F MURS160-E3/52T MURS160-E3/5BT MURS160HE3/52T