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MURS320T3G NAN

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MURS320T3G NAN 技術參數(shù)

MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 絕緣，TO-220AC 供應商器件封裝:ITO-220AC 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:70A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 70A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準型，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:50A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:DO-203AB，DO-5，接線柱供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MURS340S-E3/52T MURS340S-E3/5BT MURS340SHE3/52T MURS340SHE3/5BT MURS340SHE3_A/H MURS340SHE3_A/I MURS340S-M3/52T MURS340S-M3/5BT MURS340T3 MURS340T3G MURS360BT3G MURS360-E3/57T MURS360-E3/9AT MURS360HE3/57T MURS360HE3/9AT MURS360HE3_A/H MURS360HE3_A/I MURS360-M3/57T